在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于（)。

A.温度

B.掺杂工艺

C.掺杂浓度

D.压力

A.越高

B.越低

C.不变

D.无法判断

A.温度

B.掺杂浓度

C.材料种类

D.外加电压

A.增加发射区掺杂浓度

B.增加基区掺杂浓度

C.增加集电区掺杂浓度

D.减少发射结结深

A.提高发射区的掺杂浓度

B.采用宽禁带基区材料

C.减小基区掺杂浓度

D.减少发射结复合电流

A.在纯净的半导体材料中，电导率随温度的上升而指数增加

B.半导体中杂质的种类和数量决定着半导体的电导率，而且在掺杂情况下，温度对电导率的影响较弱

C.在半导体中不可以实现非均匀掺杂

D.光的辐射、高能电子等注入可以影响半导体的电导率

A.发射区低掺杂

B.发射区高掺杂

C.基区很薄，且掺杂浓度较低

D.基区较厚，且高掺杂

A.集电区穿通效应

B.Early效应

C.基区穿通效应

D.Webster效应

A.减小少子寿命

B.减小结面积

C.减小掺杂浓度

D.减小正向直流偏压