从三极管的内部制造工艺来看，主要由以下两个特点（)。

A.增加发射区掺杂浓度

B.增加基区掺杂浓度

C.增加集电区掺杂浓度

D.减少发射结结深

A.提高发射区的掺杂浓度

B.采用宽禁带基区材料

C.减小基区掺杂浓度

D.减少发射结复合电流

A.发射区禁带变宽

B.发射区禁带变窄

C.俄歇复合减弱

D.俄歇复合增强

A.基区禁带宽

B.基区宽度窄

C.基区掺杂浓度高

D.特征频率高

A.温度

B.掺杂工艺

C.掺杂浓度

D.压力

A.发射区

B.基区

C.收集区

D.源区

A.材料

B.温度

C.压力

D.掺杂浓度

A.集电区穿通效应

B.Early效应

C.基区穿通效应

D.Webster效应

A.越高

B.越低

C.不变

D.无法判断