下面哪种方式无法减少pn结的扩散电容:（）。

A.减小集电区的掺杂浓度

B.在集电区引入产生-复合中心

C.减小集电区宽度

D.减小基区宽度

A.提高发射区的掺杂浓度

B.采用宽禁带基区材料

C.减小基区掺杂浓度

D.减少发射结复合电流

A.适当增大VDD

B.适当增加晶体管的W/L

C.增大输入电压Vin

D.减小扩散电容和互连线的电容

A.减少衬底掺杂浓度

B.减少SiO₂/Si界面处的固定电荷密度

C.减少氧化层厚度

D.降低器件工作温度

A.越高

B.越低

C.不变

D.无法判断

A.温度

B.掺杂工艺

C.掺杂浓度

D.压力

A.温度

B.掺杂浓度

C.材料种类

D.外加电压

A.肺顺应性减小

B.肺弹性阻力减小

C.余气量减少

D.功能余气量减少

E.肺表面活性物质减少

A.肾小球毛细血管血压下降

B.肾小球滤过面积减小

C.肾血流量减少

D.血浆胶体渗透压下降

E.囊内压升高

A.减少栅极氧化层厚度

B.减少硅表面缺陷密度

C.减少漏极电压

D.减少漏极掺杂浓度