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试题列表
MOS场效应管的电流-电压特性曲线中存在的区域有()。
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MOS场效应管结构包括()。
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MOS场效应管不仅输入电阻非常高、输出端电流接近0，而且还有()等优
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从三极管的内部制造工艺来看，主要由以下两个特点()。
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三极管由()构成。
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造成发射区重掺杂效应的原因有()。
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要提高晶体管的电流传输效率，需要()。
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pn结的种类有()。
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载流子有()、()和()三种运动形式。
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PN结的击穿种类有()。
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PN结的空间电荷区的电荷有()。
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半导体的主要特点有()。
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单边突变结的()主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。
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PN结的内建电势与()有关。
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P型区和N型区的交界面称为()。
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输运方程由电子电流密度和空穴电流密度构成，当载流子的迁移率和
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以n型半导体MIS结构为例，当在栅极上加上负电压时，随着电压的加大
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在以下哪种频率特征参数下，三极管既没有电流放大，也没有功率放大
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三极管共射极的直流输出特性曲线不包括那个区域()。
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三极管的三种组态不包括是()。
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