以下能够有效增加npn晶体管输出电阻的途径为（）。

A.提高发射区的掺杂浓度

B.采用宽禁带基区材料

C.减小基区掺杂浓度

D.减少发射结复合电流

A.发射区低掺杂

B.发射区高掺杂

C.基区很薄，且掺杂浓度较低

D.基区较厚，且高掺杂

A.集电区穿通效应

B.Early效应

C.基区穿通效应

D.Webster效应

A.减小集电区的掺杂浓度

B.在集电区引入产生-复合中心

C.减小集电区宽度

D.减小基区宽度

A.增加氧化层厚度

B.提高沟道区掺杂浓度

C.降低沟道长度

D.增加衬-源反偏电压

A.基区禁带宽

B.基区宽度窄

C.基区掺杂浓度高

D.特征频率高

A.温度

B.掺杂工艺

C.掺杂浓度

D.压力

A.材料

B.温度

C.压力

D.掺杂浓度

A.越高

B.越低

C.不变

D.无法判断

A.温度

B.掺杂浓度

C.材料种类

D.外加电压