在双极型晶体管中，提高集电区掺杂浓度可以抑制：（）。

A.减小集电区的掺杂浓度

B.在集电区引入产生-复合中心

C.减小集电区宽度

D.减小基区宽度

A.增加发射区掺杂浓度

B.增加基区掺杂浓度

C.增加集电区掺杂浓度

D.减少发射结结深

A.基区禁带宽

B.基区宽度窄

C.基区掺杂浓度高

D.特征频率高

A.沟道长度调制效应

B.漏电场静电反馈效应

C.漏感应势垒降低

D.亚表面穿通效应

A.发射极电流集边效应

B.发射结复合电流

C.Early效应

D.Webster效应

A.发射极电流集边效应

B.发射结复合电流

C.Early效应

D.Webster效应

A.提高发射区的掺杂浓度

B.采用宽禁带基区材料

C.减小基区掺杂浓度

D.减少发射结复合电流

A.效应一：协同效应

B.效应二：拮抗效应

C.效应三：相加效应

D.效应一：相加效应

E.效应二：相加效应

F.效应三：协同效应