A.提高发射区的掺杂浓度
B.采用宽禁带基区材料
C.减小基区掺杂浓度
D.减少发射结复合电流
第1题
A.增加发射区掺杂浓度
B.增加基区掺杂浓度
C.增加集电区掺杂浓度
D.减少发射结结深
第2题
A.减小集电区的掺杂浓度
B.在集电区引入产生-复合中心
C.减小集电区宽度
D.减小基区宽度
第3题
A.基区禁带宽
B.基区宽度窄
C.基区掺杂浓度高
D.特征频率高
第4题
第5题
A.发射区低掺杂
B.发射区高掺杂
C.基区很薄，且掺杂浓度较低
D.基区较厚，且高掺杂
第6题
A.集电区穿通效应
B.Early效应
C.基区穿通效应
D.Webster效应
第7题
第8题
第9题
A.发射区禁带变宽
B.发射区禁带变窄
C.俄歇复合减弱
D.俄歇复合增强
第10题
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