反向饱和电流的大小主要决定于半导体材料的种类、掺杂浓度和温度。半导体材料的禁带宽度越大，则ni越大，反向饱和电流就越大。（)

A.材料

B.温度

C.压力

D.掺杂浓度

A.温度

B.掺杂工艺

C.掺杂浓度

D.压力

A.在纯净的半导体材料中，电导率随温度的上升而指数增加

B.半导体中杂质的种类和数量决定着半导体的电导率，而且在掺杂情况下，温度对电导率的影响较弱

C.在半导体中不可以实现非均匀掺杂

D.光的辐射、高能电子等注入可以影响半导体的电导率

A.半导体中有导带带，金属中没有

B.金属中有禁带，半导体中没有

C.半导体中有禁带，金属中没有

D.金属中有导带带，半导体中没有

A.壳层的禁带宽度要比相应的核层大

B.对于壳层采用半导体晶体修饰时，两种半导体材料的晶格常数要相匹配，以减少界面张力

C.一定要缓慢滴加前驱体溶液

D.核层的半导体量子点必须具有窄的尺寸分布

A.提高发射区的掺杂浓度

B.采用宽禁带基区材料

C.减小基区掺杂浓度

D.减少发射结复合电流

A.温度

B.掺杂浓度

C.材料种类

D.外加电压

A.越高

B.越低

C.不变

D.无法判断

A.增大

B.减少

C.不变

D.不能确定