第1题
A.基区禁带宽
B.基区宽度窄
C.基区掺杂浓度高
D.特征频率高
第2题
A.提高发射区的掺杂浓度
B.采用宽禁带基区材料
C.减小基区掺杂浓度
D.减少发射结复合电流
第3题
A.发射区禁带变宽
B.发射区禁带变窄
C.俄歇复合减弱
D.俄歇复合增强
第4题
第5题
第6题
第7题
A.导带底
B.价带顶
C.费米能级
D.禁带中央
第8题
第9题
A.满带中
B.导带中
C.禁带中,但接近满带顶
D.禁带中,但接近导带底
第10题
A.增加发射区掺杂浓度
B.增加基区掺杂浓度
C.增加集电区掺杂浓度
D.减少发射结结深
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