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[多选题]

造成发射区重掺杂效应的原因有()。

A.发射区禁带变宽

B.发射区禁带变窄

C.俄歇复合减弱

D.俄歇复合增强

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更多“造成发射区重掺杂效应的原因有()。”相关的问题

第1题

下面哪一种方法是不能提高npn晶体管的发射效率()。

A.提高发射区的掺杂浓度

B.采用宽禁带基区材料

C.减小基区掺杂浓度

D.减少发射结复合电流

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第2题

在异质结双极型晶体管中,通常将发射结作成异质结,即用宽禁带材料制作发射区,用窄禁带材料制作基区。()
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第3题

从三极管的内部制造工艺来看,主要由以下两个特点()。

A.发射区低掺杂

B.发射区高掺杂

C.基区很薄,且掺杂浓度较低

D.基区较厚,且高掺杂

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第4题

以下能够有效增加npn晶体管输出电阻的途径为()。

A.增加发射区掺杂浓度

B.增加基区掺杂浓度

C.增加集电区掺杂浓度

D.减少发射结结深

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第5题

为了避免陷落效应,晶体管的发射区多采用()扩散来代替磷扩散。

A.铟

B.硼

C.镓

D.砷

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第6题

三极管由()构成。

A.发射区

B.基区

C.收集区

D.源区

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第7题

‌绝对优势理论的创造者是()。

A.俄林

B.亚当•斯密

C.赫克歇尔

D.大卫•李嘉图

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第8题

放射性核素治疗最常用的射线是()

A.射线

B.γ射线

C.α射线

D.俄歇电子

E.其他

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第9题

皮肤病的敷贴治疗是利用放射性核素的()

A.γ射线

B.β射线

C.α射线

D.俄歇电子

E.内转换电子

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第10题

三极管是由三层半导体材料组成的,有三个区域,中间的一层为()

A.基区

B.集电区

C.发射区

D.栅区

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