如果要有效降低n型半导体中的少子寿命,在禁带中引入的深能级应位于____附近。 （）

A.满带中

B.导带中

C.禁带中，但接近满带顶

D.禁带中，但接近导带底

A.导带底

B.导带顶

C.禁带中

D.禁带外

A.导带底

B.导带顶

C.禁带中

D.禁带外

A.价带

B.导带

C.禁带

D.能带

A.通常把主要依靠导带电子导电的半导体成为n型半导体

B.在小注入的情况下,非平衡少数载流子的影响可以忽略

C.根据杂质原子在晶体中的位置,可分为间隙式和替位式

D.根据杂质能级在禁带中的位置,可分为深能级杂质和浅能级杂质

设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量E_c(k)和价带极大值附近能量分E_v(k) 别为

mo为电子惯性质量, k1 =1/ 2a,a= 0.314nm。试求:

①禁带宽度;

②导带底电子有效质量;

③价带顶电子有效质量;

④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。

A.和

B.差

C.‍积

D.商

A.半导体中有导带带，金属中没有

B.金属中有禁带，半导体中没有

C.半导体中有禁带，金属中没有

D.金属中有导带带，半导体中没有

A.价带

B.导带

C.禁带

D.能带