在正偏时，从P区注入N区的非平衡空穴，其浓度在N区中随距离作指数式衰减。这是因为非平衡空穴在N区中一边扩散一边复合的缘故。（)

A.反偏置状态下，二极管的工作就像一个不导通或阻断的器件

B.在实际器件中，二极管的反向电流大于反向饱和电流，这是在耗尽区因热而产生电子空穴对造成的

C.在PN结上加上反向偏压，使p区的电势相对于n区降低，其结果是使扩散电流减小，漂移电流成为主导，于是电流从n区流向p区

D.二极管电流最重要的特性是它与所加偏置电压之间存在线性关系

有一N型硅棒,棒长l为1mm,其左端边界处不断注入空穴,空穴浓度p（0)为2X10¹⁶cm^-3,右

有一N型硅棒,棒长l为1mm,其左端边界处不断注入空穴,空穴浓度p(0)为

2X10¹⁶cm^-3,右端边界处的空穴依度p(l)为4x10¹⁵cm^-3,空穴的扩散系数D_p=13cm²/s.设空穴浓度以线性规律由左端向右端扩散,试计算扩散电流密度.

A.中性区

B.欧姆电极

C.耗尽区

D.扩散区

‍假设在PN结上加上一个电压，使p区的电势相对于n区升高，其表现出来的结果是电流从p区向n区流过二极管，此时二极管处于（)（填“正”或“反”)偏置状态。

如习题7-23图所示。取x轴的原点在pn结的交界面上,p区的范围和n区的范围,其电荷的体分布为ρ(x)=-eax,式中a为常量。试证明该电荷区的电场分布为，并画出ρ(x)和E(x)随x变化的曲线。(提示;把pn结看成是一对带正、负电荷的无限大平板。)

A.势垒区的产生电流

B.势垒区的复合电流

C.产生电流

D.复合电流

设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV,300k时的E_F位于导带底下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。②设n型外延层杂志均匀分布，杂质浓度为4.6x10¹⁵cm^-3,计算300K时的E_F位置和电子空穴浓度。③在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼的浓度为5.2x10¹⁵cm^-3,计算300K时E_F位置和电子空穴浓度。④如温度升高到500，计算③中电子空穴的浓度。

制造晶体管--般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型的外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成。

①设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300k时的E_F位于导带底.下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。

②设n型外延层杂质均匀分布,杂质浓度为4.6x10¹⁵cm^-3,计算300K时EF的位置及电子和空穴浓度。

③在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼浓度为5.2x10¹⁵cm^-¿39

40¿, 计算300K时E_F的位置及电子和空穴浓度。

④如温度升高到500K，计算③中电子和空穴的浓度(本征载流子浓度、数值查图3-7)。