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[主观题]

在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子，两区内的电荷量相等，

如习题7-23图所示。取x轴的原点在pn结的交界面上,p区的范围和n区的范围在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子，两区内的电荷量相等，如习

,其电荷的体分布为ρ(x)=-eax,式中a为常量。试证明该电荷区的电场分布为在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子，两区内的电荷量相等，如习

，并画出ρ(x)和E(x)随x变化的曲线。(提示;把pn结看成是一对带正、负电荷的无限大平板。)

在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子，两区内的电荷量相等，如习

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更多“在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子，两区内的电荷量相等，”相关的问题

第1题

PN结是在两种半导体交界面，由离子薄层形成的空间电荷区，因此PN结带电（）

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第2题

PN结的空间电荷区的电荷有（)。

A.施主离子

B.受主离子

C.电子

D.空穴

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第3题

PN 结形成后,空间电荷区由( )构成。

PN 结形成后,空间电荷区由（)构成。

A.价电子

B.自由电子

C.空穴

D.杂质离子

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第4题

有半导体通以电流I，放在均匀磁场B中，其上下表面积累电荷如图所示。它们的半导体类型分别是()。

有半导体通以电流I，放在均匀磁场B中，其上下表面积累电荷如图所示。它们的半导体类型分别是（)。

A.图(1)是P型，图(2)是N型

B.图(1)是N型，图(2)是N型

C.图(1)是P型，图(2)是P型

D.图(1)是N型，图(2)是P型

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第5题

当pn结的p区接电源正极、n区接电源负极时，pn结处于正向偏置。（)

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第6题

下列描述不正确的是（)。

A.二极管的主体是PN结，但两者特性仍有区别

B.半导体、本征半导体均具有导电能力

C.当PN结外加正向电压超过一定大小时，PN结将被击穿

D.二极管特性曲线分三个区：正向工作区、反向工作区、击穿区

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第7题

质子的电荷密度分布如习题15-3图所示,它的平均密度约为1fm³一个量子电荷单位(e/fm^3⊕

质子的电荷密度分布如习题15-3图所示,它的平均密度约为1fm³一个量子电荷单位（e/fm^{3⊕质子的电荷密度分布如习题15-3图所示,它的平均密度约为1fm³一个量子电荷单位(e/fm³)。试计算:(1)以C/m³表示这一电荷密度;(2)离质子中心1fm远处,电势为多少伏特？}

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第8题

一半径为R、长为l的薄壁圆筒,其，上电荷均匀分布，电荷量为q。试求在其轴线上与端点距离为d处P点

的电场强度，如习题7-11图所示。讨论当R→0时,其结果与7-8题中(1)的结果作一比较。

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第9题

PN结加反向偏置电压时，空间电荷区将__

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第10题

（l）PN 结加正向电压时，空间电荷区将（）

A.变窄

B.基本不变

C.变宽

D.不变

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