当载流子积累的能量超过禁带宽度时可使被碰撞的价带电子跃迁到导带，从而产生一对新的电子空穴对，这就是碰撞电离过程，其主要发生在反偏PN结的（)中。

设晶格常数为a的一维品格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量Ev (k)分别为:

mo为电子惯性质量，k1=l/2a; a=0.314nm。 试求:

①禁带宽度:

②导带底电子有效质量:

③价带顶电子有效质量:

④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。

设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量E_c(k)和价带极大值附近能量分E_v(k) 别为

mo为电子惯性质量, k1 =1/ 2a,a= 0.314nm。试求:

①禁带宽度;

②导带底电子有效质量;

③价带顶电子有效质量;

④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。

A.电子

B.空穴

C.载流子

D.离子

A.和

B.差

C.‍积

D.商

A.价带

B.导带

C.禁带

D.能带

A.价带

B.导带

C.禁带

D.能带

A.导带底

B.导带顶

C.禁带中

D.禁带外

需给它多少能量？ (2)在基态时，电子处于之间的概率为多少？(3)在第一激发态时，电子处于之间的概率为多少？

A.导带底

B.导带顶

C.禁带中

D.禁带外