在N型半导体中，自由电子浓度空穴浓度

A.大于

B.小于

C.等于

D.无关

A.N型半导体

B.P型半导体

C.本征半导体

对半导体而言,其正确的说法是（).（1)P型半导体中由于多数载流子为空穴,所以它带正电.（2)y型半导体中由于多数载流子为自由电子,所以它带负电.（3)P型半导体和N型半导体本身都不带电.

设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV,300k时的E_F位于导带底下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。②设n型外延层杂志均匀分布，杂质浓度为4.6x10¹⁵cm^-3,计算300K时的E_F位置和电子空穴浓度。③在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼的浓度为5.2x10¹⁵cm^-3,计算300K时E_F位置和电子空穴浓度。④如温度升高到500，计算③中电子空穴的浓度。

有一N型硅棒,棒长l为1mm,其左端边界处不断注入空穴,空穴浓度p（0)为2X10¹⁶cm^-3,右

有一N型硅棒,棒长l为1mm,其左端边界处不断注入空穴,空穴浓度p(0)为

2X10¹⁶cm^-3,右端边界处的空穴依度p(l)为4x10¹⁵cm^-3,空穴的扩散系数D_p=13cm²/s.设空穴浓度以线性规律由左端向右端扩散,试计算扩散电流密度.

制造晶体管--般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型的外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成。

①设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300k时的E_F位于导带底.下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。

②设n型外延层杂质均匀分布,杂质浓度为4.6x10¹⁵cm^-3,计算300K时EF的位置及电子和空穴浓度。

③在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼浓度为5.2x10¹⁵cm^-¿39

40¿, 计算300K时E_F的位置及电子和空穴浓度。

④如温度升高到500K，计算③中电子和空穴的浓度(本征载流子浓度、数值查图3-7)。

对半导体而言，其正确的说法是（)。

A.P型半导体中由于多数载流子为空穴，所以它带正电。

B.N型半导体中由于多数载流子为自由电于，所以它带负电。

C.P型半导体和N型半导体本身都不带电。

A.电子

B.电离施主

C.空穴

D.电离受主