有一N型硅棒,棒长l为1mm,其左端边界处不断注入空穴,空穴浓度p(0)为2X10¹⁶cm^-3,右

设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV,300k时的E_F位于导带底下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。②设n型外延层杂志均匀分布，杂质浓度为4.6x10¹⁵cm^-3,计算300K时的E_F位置和电子空穴浓度。③在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼的浓度为5.2x10¹⁵cm^-3,计算300K时E_F位置和电子空穴浓度。④如温度升高到500，计算③中电子空穴的浓度。

制造晶体管--般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型的外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成。

①设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300k时的E_F位于导带底.下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。

②设n型外延层杂质均匀分布,杂质浓度为4.6x10¹⁵cm^-3,计算300K时EF的位置及电子和空穴浓度。

③在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼浓度为5.2x10¹⁵cm^-¿39

40¿, 计算300K时E_F的位置及电子和空穴浓度。

④如温度升高到500K，计算③中电子和空穴的浓度(本征载流子浓度、数值查图3-7)。

A.施主杂质浓度

B.受主杂质浓度

C.电子浓度

D.空穴浓度

条的左端滑到B点时，链条速度大小为()。

A.电子

B.电离施主

C.空穴

D.电离受主