半导体中同时存在电子和空穴的根本原因是晶格的热振动使电子不断发生从导带到价带的热跃迁。（)

A.电子

B.空穴

C.载流子

D.离子

设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量E_c(k)和价带极大值附近能量分E_v(k) 别为

mo为电子惯性质量, k1 =1/ 2a,a= 0.314nm。试求:

①禁带宽度;

②导带底电子有效质量;

③价带顶电子有效质量;

④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。

设晶格常数为a的一维品格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量Ev (k)分别为:

mo为电子惯性质量，k1=l/2a; a=0.314nm。 试求:

①禁带宽度:

②导带底电子有效质量:

③价带顶电子有效质量:

④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。

A.辐射能使气态基态原子外层电子产生跃迁

B.辐射能使原子内层电子产生跃迁

C.能量使气态原子外层电子产生发射光谱

D.电、 热能使气态原子外层电子产生发射光谱

A.中性区

B.欧姆电极

C.耗尽区

D.扩散区

A.空穴

B.电子

C.光子

D.声子

A.导带底

B.导带顶

C.禁带中

D.禁带外