电子摆脱共价键而形成电子和空穴的过程，就是一个（)从价带到导带的量子跃迁过程。

电子从价带跃迁到导带的结果是形成一对电子和空穴，因此电子从价带到导带的热跃迁被称为电子-空穴对的（)过程。

A.中性区

B.欧姆电极

C.耗尽区

D.扩散区

A.空穴

B.电子

C.光子

D.声子

A.电子

B.空穴

C.载流子

D.带负电的电离受主杂质

A.施主离子

B.受主离子

C.电子

D.空穴

A.载流子浓度

B.电场强度

C.载流子浓度梯度

D.电荷密度

A.电子

B.空穴

C.带正电的电离施主杂质

D.带负电的电离受主杂质

设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV,300k时的E_F位于导带底下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。②设n型外延层杂志均匀分布，杂质浓度为4.6x10¹⁵cm^-3,计算300K时的E_F位置和电子空穴浓度。③在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼的浓度为5.2x10¹⁵cm^-3,计算300K时E_F位置和电子空穴浓度。④如温度升高到500，计算③中电子空穴的浓度。