为了避免陷落效应，晶体管的发射区多采用（)扩散来代替磷扩散。

分别计算掺有下列杂质的Si,在室温时的载流子浓度、迁移率和电阻率:

①硼原子3X10¹⁵cm^-3;

②硼原子1.3X10¹⁵cm^-3+磷原子1.0X10¹⁶cm^-3:

③磷原子1.3X10¹⁵cm^-3+硼原子1.0X10¹⁶cm^-3:

④磷原子3X10¹⁵cm^-3+镓原子1X10¹⁷cm^-3+砷原子1X10¹⁷cm^-3。

A.磷、砷

B.氟、氯

C.A+B+硼

D.C+硫

A.晶体硅

B.非晶硅

C.砷化镓

D.纳米TiO2

A.软质玻璃(普通玻璃)，多制成不需要加热的器皿

B.硬质玻璃(硼硅玻璃)，可制成加热的器皿

C.硬质玻璃器皿可用于硼、锌、砷元素的测定

D.硬质玻璃器皿不能用于硼、锌、砷元素的测定

制造晶体管--般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型的外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成。

①设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300k时的E_F位于导带底.下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。

②设n型外延层杂质均匀分布,杂质浓度为4.6x10¹⁵cm^-3,计算300K时EF的位置及电子和空穴浓度。

③在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼浓度为5.2x10¹⁵cm^-¿39

40¿, 计算300K时E_F的位置及电子和空穴浓度。

④如温度升高到500K，计算③中电子和空穴的浓度(本征载流子浓度、数值查图3-7)。

A.发射区禁带变宽

B.发射区禁带变窄

C.俄歇复合减弱

D.俄歇复合增强

A.提高发射区的掺杂浓度

B.采用宽禁带基区材料

C.减小基区掺杂浓度

D.减少发射结复合电流

0.01036mol·L^-1EDTA滴定之，用去35.32mL.另取等体积试液用去0.01142mol·L TTHA (三亚乙基四胺六乙酸)18.43mL滴定至终点。计算试样中镓和铟的质量分数。已知锅和铟分别与TTHA形成2:1(Ga₂L)和1:1(InL)络合物。

设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV,300k时的E_F位于导带底下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。②设n型外延层杂志均匀分布，杂质浓度为4.6x10¹⁵cm^-3,计算300K时的E_F位置和电子空穴浓度。③在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼的浓度为5.2x10¹⁵cm^-3,计算300K时E_F位置和电子空穴浓度。④如温度升高到500，计算③中电子空穴的浓度。