以n型半导体MIS结构为例，当在栅极上加上负电压时，随着电压的加大，吸引到半导体表面的（)浓度迅速增加，形成反型层。

A.P型半导体P型表面态

B.P型半导体N型表面态

C.N型半导体P型表面态

D.N型半导体N型表面态

A.金属-氧化物-半导体接触中，半导体中靠近氧化物的区域

B.金属-氧化物接触中，氧化物中靠近金属的区域

C.P型半导体-N型半导体接触时产生的结区

D.金属-半导体接触中，半导体中靠近金属的区域

A.靠近栅极界面的电荷比靠近半导体界面的电荷影响更大

B.靠近半导体界面的电荷比靠近栅极界面的电荷影响更大

C.靠近栅极界面的电荷与靠近半导体界面的电荷的影响相同

D.靠近氧化层中间位置的电荷影响更大

A.N型半导体

B.P型半导体

C.本征半导体

A.空穴

B.三价元素

C.五价元素