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[单选题]

本征半导体中的自由电子浓度与空穴浓度的关系是（)。

A.大于

B.小于

C.等于

D.无关

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第1题

半导体中自由电子和空穴数目相等这样半导体叫做（）

A.N型半导体

B.P型半导体

C.本征半导体

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第2题

在N型半导体中，自由电子浓度空穴浓度

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第3题

一块本征硅半导体,掺人五价元素砷,依度为10¹⁴cm^-3试分别求出T=300K、500K时自由电子和空穴的热平衡浓度值,,并指出相应半导体类型.

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第4题

在本征半导体中加入微量的3价元素，就得到P型半导体，内部载流子数量大大增加，且多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（)

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第5题

N型半导体是在本征半导体中加入（)后形成的杂质半导体。

A.空穴

B.三价元素

C.五价元素

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第6题

过滤常数K与悬浮液颗粒浓度的关系是（)。

A.K随颗粒浓度的增大而增大

B.K与颗粒浓度无关

C.K随颗粒浓度的增大而减小

D.不确定

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第7题

在本征硅半导体中,掺人浓度为5x10¹⁵cm^-3的受主杂质,试指出T=300K时所形成的杂质半导体类型.若再掺人浓度为10¹⁶cm^-3的施主杂质,则将为何种类型半导体?若将该半导体温度分别上升到T=500K、600K,试分析为何种类型半导体.

在本征硅半导体中,掺人浓度为5x10¹⁵cm^-3的受主杂质,试指出T=300K时所形成的杂质半导体类型.若再掺人浓度为10¹⁶cm^-3的施主杂质,则将为何种类型半导体？若将该半导体温度分别上升到T=500K、600K,试分析为何种类型半导体.

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第8题

对于高瓦斯煤（岩）与瓦斯突出矿井的煤巷、半煤巷和有瓦斯突出的岩石掘进巷道，甲烷传感器的预警浓度大于等于0.8%、断电浓度大于等于0.8%、复电浓度小于0.8%，请问它的断电范围是怎么规定的？

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第9题

采用耗尽近似，N型耗尽区内的泊松方程与（)成正比。

A.施主杂质浓度

B.受主杂质浓度

C.电子浓度

D.空穴浓度

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第10题

以n型半导体MIS结构为例，当在栅极上加上负电压时，随着电压的加大，吸引到半导体表面的（)浓度迅速增加，形成反型层。

A.电子

B.电离施主

C.空穴

D.电离受主

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