实际上，半导体中通常同时含有施主和受主杂质，当施主数量大于受主时，半导体是n型的;反之，当受主数量大于施主时，则是p型的。（)

以n型半导体MIS结构为例，当在栅极上加上负电压时，随着电压的加大，吸引到半导体表面的（)浓度迅速增加，形成反型层。

在本征硅半导体中,掺人浓度为5x10¹⁵cm^-3的受主杂质,试指出T=300K时所形成的杂质半导体类型.若再掺人浓度为10¹⁶cm^-3的施主杂质,则将为何种类型半导体？若将该半导体温度分别上升到T=500K、600K,试分析为何种类型半导体.

在硅或锗中如果同时存在施主和受主杂质时，将相互补偿。（)

以Ga掺入Ge中为例，说明什么是受主杂质、受主杂质电离过程和p型半导体。

p型空间电荷区由（)构成。

以As掺入Ge中为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。

采用耗尽近似，N型耗尽区内的泊松方程与（)成正比。

PN结的空间电荷区的电荷有（)。

计算含有施主杂质浓度ND=9X 1015cm3及受主杂质浓度为1.1 X 1016cm-3的硅在300k时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

利用题7所给的Nc和Nv数值及Eg=0.67eV,求温度为300k和500k时，含施主浓度ND= 5X 10¹⁵cm^-3，受主浓度NA=2X10⁹cm-3的锗中电子及空穴浓度为多少？