第2题
第3题
制造晶体管--般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型的外延层,再在外延层中扩散硼、磷而成。
①设n型硅单晶衬底是掺锑的,锑的电离能为0.039eV,300k时的EF位于导带底.下面0.026eV处,计算锑的浓度和导带中电子浓度。
②设n型外延层杂质均匀分布,杂质浓度为4.6x1015cm-3,计算300K时EF的位置及电子和空穴浓度。
③在外延层中扩散硼后,硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼浓度为5.2x1015cm-¿39 40¿
④如温度升高到500K,计算③中电子和空穴的浓度(本征载流子浓度、数值查图3-7)。
第4题
第7题
第8题
InSb 的电子有效质量me = 0.015m,介电常量ε= 18,晶格常量a=6.479
。试计算;
(1)施主的电离能;
(2)基态的轨道半径;
(3)若施主均匀分布,相邻杂质原子的轨道之间发生交叠时,掺有的施主杂质浓度应高于多少?
第9题
第10题
在室温下,锗的有效态密度NC=1.05x1019cm-3, NV=5. 7x1018cm-3,及Eg=0. 76eV,求温度为300K和500K时,含施主浓度ND=5x1015cm-3,受主浓度NA=2x 109cm-3,的锗中电子及空穴浓度为多少?
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