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[单选题]

p型空间电荷区由()构成。

A.电子

B.空穴

C.带正电的电离施主杂质

D.带负电的电离受主杂质

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更多“p型空间电荷区由()构成。”相关的问题

第1题

采用耗尽近似,P型耗尽区内的()完全扩散掉。

A.电子

B.空穴

C.载流子

D.带负电的电离受主杂质

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第2题

以施主杂质电离90%作为强电离的标准,求掺砷的n型锗在300K时,以杂质电离为主的饱和区掺杂质的浓度范围。

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第3题

PN结的空间电荷区的电荷有()。

A.施主离子

B.受主离子

C.电子

D.空穴

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第4题

以n型半导体MIS结构为例,当在栅极上加上负电压时,随着电压的加大,吸引到半导体表面的()浓度迅速增加,形成反型层。

A.电子

B.电离施主

C.空穴

D.电离受主

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第5题

以Ga掺入Ge中为例,说明什么是受主杂质、受主杂质电离过程和p型半导体。

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第6题

N型半导体()。

A.就是空穴型半导体

B.带正电

C.带负电

D.呈电中性

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第7题

以As掺入Ge中为例,说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。

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第8题

磷化鎵的禁带宽度Eg=2.26eV,相对介电常数εr=11.1,空穴的有效质量m*p=0.86m0,m0为电子的惯性质量,求i)受主杂质的电离能;ii)受主所束缚的空穴基态轨道半径。

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第9题

若硅中施主杂质电离能△ED= 0.04eV,施主杂质浓度分别为1015cm-3及1018cm-3,计算(1)99%电离,(2)90%电离,(3)50%电离时温度各为多少?

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