单边突变结的（)主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。

A.温度

B.掺杂浓度

C.材料种类

D.外加电压

A.源漏pn结耗尽区宽度缩小K倍

B.沟道电阻不变

C.饱和区跨导缩小K倍

D.栅极总电容缩小K倍

A.施主杂质浓度

B.受主杂质浓度

C.电子浓度

D.空穴浓度

A.材料

B.温度

C.压力

D.掺杂浓度

A.电势相同，电场强度矢量也相同

B.电势不同，电场强度矢量也不同

C.电势相同，电场强度矢量不同

D.电势不同，电场强度矢量相同

A.基区禁带宽

B.基区宽度窄

C.基区掺杂浓度高

D.特征频率高

A.中性区

B.欧姆电极

C.耗尽区

D.扩散区

A.电势均匀的空间，电场强度一定为零

B.电场强度不同的的空间，电势一定为零

C.电势较高处，电场强度一定较大

D.带正电的金属导体的电势一定是正的