有一块半导体材料的寿命是lus，无光照的电阻率是10Ω·cm。今用光照射，光被半导体均匀吸收，电子-空穴的产生率是10²²cm^-3·s^-1 ，试计算光照下样品的电阻率，并求电导中少数载流子的贡献占多少比例？

①计算体寿命，扩散长度和表面复合速度;

②如果用光照射硅片并被样品均匀吸收，电子-空穴对的产生率为10¹¹/cm³·s ，试求表面处的空穴浓度以及流向表面的空穴流密度是多少？

一个n型CdS正方形品片，边长1mm.厚0.lmm，其长波吸收限510nm.今用1mW /com²的紫光(λ= 409.6mm )照射正方形表面，量子产额β=1。设光生空穴全部被陷，光生电子寿命rn =10^-3s,电子迁移率μ_n= 100cm²/V·s，并设光照能量全部被晶片吸收，求下列各值。

①样品中每秒产生的电子空穴对数:

②样品中增加的电子数:

③样品的电导增量Ag;

④当样品上加以50V电压时的光生电流:

⑤光电导增益因子G.

A.空穴

B.电子

C.光子

D.声子

A.在纯净的半导体材料中，电导率随温度的上升而指数增加

B.半导体中杂质的种类和数量决定着半导体的电导率，而且在掺杂情况下，温度对电导率的影响较弱

C.在半导体中不可以实现非均匀掺杂

D.光的辐射、高能电子等注入可以影响半导体的电导率

(1)问这半导体是正电荷导电(空穴型)还是负电荷导电(电子型)？

(2)求载流子浓度，设霍耳系数仍具有式(7-8)的形式

A.空穴

B.三价元素

C.五价元素

A.N型半导体

B.P型半导体

C.本征半导体