用光子流强度为P0,光子能量为hy的光照射一肖特基光电二极管。已知Eg> hy> qφB。(φ为接触势垒高度),则在金属层内产生的光生电子,有部分向半导体内发射。如金属中光的吸收系数为a,金属厚度为1。在离光照(金属)面x处,光生电子逸入半导体的几率为。设金属中光生电子量子产额为β。
第1题
第2题
一电子由静止经过电势差U加速之后,撞击金属靶发出光子,其动能完全转换为光子的能量。
若发出光子的最短波长为λs,普朗克常量为h,光速为c,元电荷为e,则下列有关此最短波长光子叙述正确的是()。
第3题
A.单能X射线的强度Ⅰ与光子能量成反比
B.单能X射线的强度Ⅰ与光子数目成正比
C.单能X射线的强度Ⅰ与光子数目成反比
D.单能X射线的强度Ⅰ与光子数目无关
E.在X射线能谱中,曲线下所包括的总面积代表X射线的能量
第4题
A.荧光强度与激发光强度呈线性相关
B.荧光强度与激发光强度呈二次方的非线性关系
C.吸收两个低能量的入射光子,发射两个高能量光子
D.双光子激发穿透深度较浅,杂散光背景较高
第6题
A.511keV 的β射线
B.511keV 的X射线
C.511keV 的一对 γ光子
D.511keV 的单光子
E.1.02MeV 的一对γ光子
第7题
第9题
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