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[主观题]

如果没有光照射或pn结注入等外界影响，温度又保持稳定，半导体中将在产生和复合的基础上形成()。

如果没有光照射或pn结注入等外界影响，温度又保持稳定，半导体中将在产生和复合的基础上形成（)。

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第1题

PN结是在两种半导体交界面，由离子薄层形成的空间电荷区，因此PN结带电（）

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第2题

PN结是什么 PN结如何形成（）

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第3题

半导体的主要特点有（)。

A.在纯净的半导体材料中，电导率随温度的上升而指数增加

B.半导体中杂质的种类和数量决定着半导体的电导率，而且在掺杂情况下，温度对电导率的影响较弱

C.在半导体中不可以实现非均匀掺杂

D.光的辐射、高能电子等注入可以影响半导体的电导率

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第4题

PN结是(_ _ _)的基本结构，也是一般半导体器件的核心

PN结是（_ _ _)的基本结构，也是一般半导体器件的核心

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第5题

半导体稳压二极管工作在稳压状态时，它的PN结处于状态

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第6题

晶闸管是具有3个PN结、阴极、阳极和(_ _ _)极的硅半导体器件

晶闸管是具有3个PN结、阴极、阳极和（_ _ _)极的硅半导体器件

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第7题

在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于()而产生的，漂移运动是()下产生的。

在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于（)而产生的，漂移运动是（)下产生的。

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第8题

有一块半导体材料的寿命是lus，无光照的电阻率是10Ω·cm。今用光照射，光被半导体均匀吸收，电子-空穴的产生率是10²²cm^-3·s^-1 ，试计算光照下样品的电阻率，并求电导中少数载流子的贡献占多少比例？

有一块半导体材料的寿命是lus，无光照的电阻率是10Ω·cm。今用光照射，光被半导体均匀吸收，电子-空穴的产生率是10²²cm^-3·s^-1，试计算光照下样品的电阻率，并求电导中少数载流子的贡献占多少比例？

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第9题

用光子流强度为P₀，光子能量为hy的光照射一肖特基光电二极管。已知E_g＞ h_y ＞ qφ_B⌘

用光子流强度为P₀，光子能量为hy的光照射一肖特基光电二极管。已知E_g＞ h_y＞ qφ_{B⌘用光子流强度为P₀，光子能量为hy的光照射一肖特基光电二极管。已知E_g＞ h_y＞ qφ_B。(φ为接触势垒高度)，则在金属层内产生的光生电子，有部分向半导体内发射。如金属中光的吸收系数为a,金属厚度为1。在离光照(金属)面x处，光生电子逸入半导体的几率为。设金属中光生电子量子产额为β。}

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第10题

下列描述不正确的是（)。

A.二极管的主体是PN结，但两者特性仍有区别

B.半导体、本征半导体均具有导电能力

C.当PN结外加正向电压超过一定大小时，PN结将被击穿

D.二极管特性曲线分三个区：正向工作区、反向工作区、击穿区

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