已知一维晶格中电子的能带可写成 式中a是晶格常量，m是电子的质量，求: (1)能带宽度; (2)电

晶格常量为

的一维晶格，当外加10^2 V /m和10^7 V/m的电场时，试分别估算电子自能带底运动到能带顶所需要的时间。

设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量E_c(k)和价带极大值附近能量分E_v(k) 别为

mo为电子惯性质量, k1 =1/ 2a,a= 0.314nm。试求:

①禁带宽度;

②导带底电子有效质量;

③价带顶电子有效质量;

④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。

设晶格常数为a的一维品格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量Ev (k)分别为:

mo为电子惯性质量，k1=l/2a; a=0.314nm。 试求:

①禁带宽度:

②导带底电子有效质量:

③价带顶电子有效质量:

④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。

InSb 的电子有效质量me = 0.015m,介电常量ε= 18,晶格常量a=6.479

。试计算;

(1)施主的电离能;

(2)基态的轨道半径;

(3)若施主均匀分布，相邻杂质原子的轨道之间发生交叠时，掺有的施主杂质浓度应高于多少？

需给它多少能量？ (2)在基态时，电子处于之间的概率为多少？(3)在第一激发态时，电子处于之间的概率为多少？