A.金属-氧化物-半导体接触中,半导体中靠近氧化物的区域
B.金属-氧化物接触中,氧化物中靠近金属的区域
C.P型半导体-N型半导体接触时产生的结区
D.金属-半导体接触中,半导体中靠近金属的区域
第3题
用光子流强度为P0,光子能量为hy的光照射一肖特基光电二极管。已知Eg> hy> qφB。(φ为接触势垒高度),则在金属层内产生的光生电子,有部分向半导体内发射。如金属中光的吸收系数为a,金属厚度为1。在离光照(金属)面x处,光生电子逸入半导体的几率为。设金属中光生电子量子产额为β。
为了保护您的账号安全,请在“上学吧”公众号进行验证,点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证,验证成功后方可继续查看答案!