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[单选题]

‍肖特基势垒是下面哪种接触形成的?()‍

A.金属-氧化物-半导体接触中,半导体中靠近氧化物的区域

B.金属-氧化物接触中,氧化物中靠近金属的区域

C.P型半导体-N型半导体接触时产生的结区

D.金属-半导体接触中,半导体中靠近金属的区域

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金属氧化物半导体场效应管是集成电路中最重要的单极器件。()
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第3题

用光子流强度为P0,光子能量为hy的光照射一肖特基光电二极管。已知Eg > hy > qφB⌘
用光子流强度为P0,光子能量为hy的光照射一肖特基光电二极管。已知Eg> hy> qφB⌘

用光子流强度为P0,光子能量为hy的光照射一肖特基光电二极管。已知Eg> hy> qφB。(φ为接触势垒高度),则在金属层内产生的光生电子,有部分向半导体内发射。如金属中光的吸收系数为a,金属厚度为1。在离光照(金属)面x处,光生电子逸入半导体的几率为。设金属中光生电子量子产额为β。

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第4题

环境中主要的污染物有()。

A.重金属

B.铝离子

C.金属氧化物

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第5题

半导体和金属的区别是()。

A.半导体中有导带带,金属中没有

B.金属中有禁带,半导体中没有

C.半导体中有禁带,金属中没有

D.金属中有导带带,半导体中没有

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第6题

‎MOS电容器的基本结构包含()。‌
‎MOS电容器的基本结构包含()。‌

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第7题

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第8题

下列物质的名称、化学式和所属的类别都正确的是()

A.甲烷、CH4、有机物

B.锰、MN、金属单质

C.氯酸钾、KCl03、金属氧化物

D.氧化汞、HgO、非金属氧化物

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第9题

一氧化碳具有(),高温时能从金属氧化物中夺取氧而使金属还原

A.可燃性

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第10题

试述金属氧化物避雷器运行中劣化的几种征兆

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