钾的逸出功是2.25eV，钨的逸出功是4.54eV，它们的截止频率各是多少？这两种金属哪种可用作可见光范围内的光电管的阴极？可见光的频率范围为4X10¹⁴7X10¹⁴Hz。

以下是一些材料的功函数（逸出功)：今要制造能在可见光（频率范围：)下工作的光电管，在这些材料中

以下是一些材料的功函数(逸出功)：

今要制造能在可见光(频率范围：)下工作的光电管，在这些材料中应选()。

A.铍

B.铯

C.钯

D.钨

钾的光电效应红限波长是550nm,求（1)钾电子的逸出功，（2) 当用波长λ=300nm的紫外光照射时，钾的截止电压U。分析：本题考察的是爱因斯坦光电效应方程.根据红限波长，可以求出与该波长相应的光子能量,这个能量就是该金属的逸出功。然后根据光电效应方程就可以求出对应某一特定波长的光子的遏止电压。

金属钾的逸出功为2.00eV。求：（1)光电效应的红限频率和红限波长;（2)如果入射光波长为300nm，求遏止电压。

某金属的电子逸出功为6.2电子伏特，要从金属表面释放出电子，照射光的波长必须满足（)。

钾的电子逸出功是2.0eV.如果用波长为360nm的光照射在钾上产生光电效应。求:（1)光电子的初动能（以eV为单位)； （2)遏止电势差；（3)电子的速度；（4)电子波的波长.

己知钾的逸出功为2.0eV，如果用波长为3.60×10^-7m的光照射在钾上，则光电效应的遏止电压的绝对值|Ua|=（)。从钾表面发射出电子的最大速度Vmax=（)（1eV=1.6X10^-19J，me=9.11X10^-31kg)。

A.P型半导体P型表面态

B.P型半导体N型表面态

C.N型半导体P型表面态

D.N型半导体N型表面态

金属的晶体结构有哪几种主要类型？它们得空间利用率和配位数各是多少？对金属性质的影响又如何？