第1题
试用VSEPR理论预测COCl2的几何构型,用VB法说明分子的成键过程,并讨论
分子中键的性质,预测并说明CICO及CICCl大小.
第2题
试用VSEPR理论预测下列分子或离子的几何构型,并用杂化轨道理论加以说明:
①BeCl2;②SnCl2;③NCl3;④XeF4;⑤SF6;.
第3题
用VSEPR模型讨论的分子模型,画出它们的立体结构,用短横代表分子........键骨架,标明分子构型的几何图形名称。
第5题
根据下列配离子的磁矩实验值,应用价键理论讨论配离子的形成过程及空间几何构型.
(1)[Mn(NCS)6]4-6.1BM
(2)[Co(NO2)6]4-1.8BM
(3)[Ni(NH3)4]2+3.2BM
(4)[CuCl4]2-2.0BM
第6题
已知下列分子的几何构型,试用杂化轨道理论分析它们的成键情况:
(1)PCI5三角锥;(2)SiF4正四面体
(3)BF3正三角形;(4)AsI5三角双锥。
第8题
试根据价层电子对互斥理论判断下面3种三氟化物的几何构型,并用杂化轨道理论讨论其成键情况:
(1)BF3;(2)NF3;(3)BrF3
第9题
考察化合物熔沸点数据:
试解释下列现象:
(1)AIF3的熔沸点远高下AICl3;
(2)SiF4的熔沸点低于SiCl4:
(3)SiF4和PF5常温常压下为气体,而SnF4为固体;
(4)PF5和PCl5的熔沸点分别高于PF3和PCl3;
(5)PF5和PF3的熔沸点分别低于PCI5和PCI3
第10题
借助VSEPR模型、杂化轨道模型、...键与,..键大..键以及等电子体概念,讨论的分子结构。
为了保护您的账号安全,请在“上学吧”公众号进行验证,点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证,验证成功后方可继续查看答案!