A.11.7 dB
B. 13.1 dB
C. 12.1
D. 10.7
第9题
图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,试分别求出VGS=2.5V、3V时的V0值,并进行分析.
第10题
A.定向重试切换→信号质量/电平上/下行链路切换→同心圆下行链路切换→距离切换→功率切换
B.定向重试切换→同心圆下行链路切换→信号质量/电平上/下行链路切换→距离切换→功率切换
C.定向重试切换→信号质量/电平上/下行链路切换→同心圆下行链路切换→功率切换→距离切换
D.定向重试切换→同心圆下行链路切换→信号质量/电平上/下行链路切换→功率切换→距离切换
第11题
研究两种典型逼近函数在滤波器阻带的衰减性能:
(1)对巴特沃思滤波器,当.时,证明其衰减速度为20NdB/dec(N为阶数);
(2)对切比霄夫滤波器,重复(1)所问.
(利用条件作近似简化求证;衰减速度为20NdB/dec表示频率值从Ω增大到10Ω时,频响特性改变-20NdB,dec表示10倍频.)
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