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[多选题]

MOS场效应管的电流-电压特性曲线中存在的区域有()。

A.线性区

B.饱和区

C.截止区

D.击穿区

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更多“MOS场效应管的电流-电压特性曲线中存在的区域有()。”相关的问题

第1题

三极管共射极的直流输出特性曲线不包括那个区域()。

A.放大区

B.线性区

C.饱和区

D.截止区

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第2题

单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管发射极特性中的()工作的

A.放大区

B.截止区

C.负阻区

D.饱和区

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第3题

MOS管沟道电容的平均分布情况取决于工作区域等因素,其中,MOS管处于截止区时,CGC主要来自();MOS处于饱和区时,CGC主要来自()。‌

A.CGCS;CGCD

B.CGCS;CGCB

C.CGCB;CGCS

D.CGCB;CGCD

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第4题

在气体电离电流与外加电压关系曲线的下列5个区域中,哪一个区域的外加电压最低()

A.电离室区

B.正比区

C.有限正比区

D.连续放电区

E.G–M区

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第5题

下列描述不正确的是()。

A.二极管的主体是PN结,但两者特性仍有区别

B.半导体、本征半导体均具有导电能力

C.当PN结外加正向电压超过一定大小时,PN结将被击穿

D.二极管特性曲线分三个区:正向工作区、反向工作区、击穿区

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第6题

晶体三极管作开关使用时,是工作在()

A.放大区

B.饱和区

C.截止区

D.饱和区与截止区

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第7题

‏在反相、同相比例运算等电路中,集成运算放大器工作在()。‍

A.饱和区、深度正反馈

B.线性区、深度负反馈

C.饱和区、深度负反馈

D.线性区、深度正反馈

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第8题

场效应管输出特性的三个区域分别是__区、__区、__区

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第9题

‏下面二极管静态特性描述中不正确的是()。‌

A.反偏置状态下,二极管的工作就像一个不导通或阻断的器件

B.在实际器件中,二极管的反向电流大于反向饱和电流,这是在耗尽区因热而产生电子空穴对造成的

C.在PN结上加上反向偏压,使p区的电势相对于n区降低,其结果是使扩散电流减小,漂移电流成为主导,于是电流从n区流向p区

D.二极管电流最重要的特性是它与所加偏置电压之间存在线性关系

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第10题

通常把晶体管的输出特性分为三个工作区,该三个工作区为饱和区、放大区、截止区。()
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