通常在一定温度下我们把半导体的电阻看作是线性的和不变化的，但是在半导体上通过高频电流时，

A.呈线性减小

B.按一定规律增大

C.按指数规律减小

D.不变化

A.半导体中有导带带，金属中没有

B.金属中有禁带，半导体中没有

C.半导体中有禁带，金属中没有

D.金属中有导带带，半导体中没有

波长1300nm的InGaAsP行波半导体光放大器(SOA)具有以下参数：

针对所述的半导体光放大器(偏置电流为200mA)。

(1)求其在输入功率P₀=2mW时的增益：

(2)求其饱和输出功率。

A.在纯净的半导体材料中，电导率随温度的上升而指数增加

B.半导体中杂质的种类和数量决定着半导体的电导率，而且在掺杂情况下，温度对电导率的影响较弱

C.在半导体中不可以实现非均匀掺杂

D.光的辐射、高能电子等注入可以影响半导体的电导率

A.高频电流集中于金属物上,转为磁能,磁能生电,产生电流

B.高频电流集中于金属物上,转为热能,导致组织烧伤

C.金属物在电场中产生感应电流

D.金属物在电场中产生感应电场

E.高频电流集中于金属物上,导取金属的理化性质改变

A.通常把主要依靠导带电子导电的半导体成为n型半导体

B.在小注入的情况下,非平衡少数载流子的影响可以忽略

C.根据杂质原子在晶体中的位置,可分为间隙式和替位式

D.根据杂质能级在禁带中的位置,可分为深能级杂质和浅能级杂质

A.不可以用

B.可以用

C.有条件的使用

D.任意

A.增大

B.减小

C.不变

D.不能确定