A.用双臂电桥测量在同温下的铜屏蔽和导体的直流电阻
B.当铜屏蔽和导体的直流电阻之比与投运前相比增加时,表明铜屏蔽层的直流电阻增大,铜屏蔽可能被腐蚀
C.当铜屏蔽和导体的直流电阻之比与投运前相比减少时,表明附件中导体接点的接触电阻有增大的可能
D.用单臂电桥测量在同温下的铜屏蔽和导体的直流电阻
第1题
A.用双臂电桥测量在同温下的铜屏蔽和导体的直流电阻
B. 当铜屏蔽和导体的直流电阻之比与投运前相比增加时,表明铜屏蔽层的直流电阻增大,铜屏蔽可能被腐蚀
C. 当铜屏蔽和导体的直流电阻之比与投运前相比减少时,表明附件中导体接点的接触电阻有增大的可能
D. 用单臂电桥测量在同温下的铜屏蔽和导体的直流电阻
第2题
A.用双臂电桥测量在同温下的铜屏蔽和导体的直流电阻
B.当铜屏蔽和导体的直流电阻之比与投运前相比增加时,表明铜屏蔽层的直流电阻增大,铜屏蔽可能被腐蚀
C.当铜屏蔽和导体的直流电阻之比与投运前相比减少时,表明附件中导体接点的接触电阻有增大的可能
D.用单臂电桥测量在同温下的铜屏蔽和导体的直流电阻
第5题
A.能够判断屏蔽层是否出现腐蚀
B. 比值增大,屏蔽层可能腐蚀
C. 比值减少,可能是附件中的导体连接点的电阻增大
D. 正常情况下,比值应无明显改变
第6题
A.能够判断屏蔽层是否出现腐蚀
B.比值增大,屏蔽层可能腐蚀
C.比值减少,可能是附件中的导体连接点的电阻增大
D.正常情况下,比值应无明显改变
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