在图LP4-8所示的多级直接耦合放大器中,第二级为电平位移电路.已知各管的β=100,可忽略不计.各

在图LP4-47所示电路中,已知Υ_cc=30Υ,R=30kΩ,各管的β=100,

|V_A|=100Υ,Υ_BE(on)=0.7Υ.试求电流源提供的电流I₀和T₂管输出交流内阻R₀.

在图LT3-4所示电路中,已知V_GS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

图LP4-4为两级直接耦合放大器,已知晶体管0.7V,I_BQ可忽略,要求I_CQ1=1mA,I_CQ2=1.5mA,V,试设计电路各元件值.

=90μA.试求T₅、T₆、T₉各管的沟道宽长比.设器件的均相同,沟道长度调制效应忽略不计.

度升高40℃时的I_CQ与V_CEQ值。

图LP4-9所示为某集成电路的部分内部原理电路,已知各管的β值很高,

输入端输出端

在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知晶体三极管β很大,VBE_(on)可忽略。试用开关函数求i_c=(i_c1-i_c2)值。

题7-2图所示各电路中开关S在t=0时动作，试求各电路在t=0，时刻的电压电流。已知题7-2图(d)中的。

A,I_EQ2=1mA,Υ_CEQ1=2.5Υ,Υ_CEQ2=4Υ.设Υ_CC=12Υ,Υ_CQ2=6Υ,I₁=10I_BQ,试计算各电阻值,

在图LT4-23所示两级共发放大器的交流通路中,已知试估算该电路的土限频率f_H.(忽略第二级输入电容对第一级的影响.)