Ω,Rb2=22kΩ,Re=3.9kΩ,Re=33kΩ,Rb2=22kΩ,Re=3.9kΩ,Re=4.7kΩ,RL=5.1kΩ,在Re两端并接一电容Ce=50µF,Vcc=5V,IEQ≈0.33mA,β。=120,rce=300kΩ,rhh=50Ω,fT=700MHz及Cbc=1pF。求:(1)输入电阻Ri;(2)中频区电压增益(3)上限频率fH。
第1题
效应管静态工作时的偏置电流IREF=0.2 mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益A.。
第2题
电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ1=λ2=0.01V-1。场效
应管静态工作时的偏置电流IREF=0.2mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益Ae。
第3题
场效应管参数为Kn1=Kn2=1.2mA/V2,VTN1= VTN2=1.9V,λ1=λ2=0。试求该电路的电压增益。
第4题
电路如图题7.2.3(主教材图7.2.2)所示的源极耦合差分式放大电路中,电流源输出电阻
(图中未画出)
,求单端输出时的
。
第5题
电路如图题4.3.1(主教材图4.3.7b)所示,设Rg1=90千欧,Rg2=60千欧,Rd=30千欧,VDD=5 V,VTS=1V,Kn=0.1mA/V2。试计算电路的漏极电流ID和漏源电压VDS。
第6题
) = 100 kΩ。试比较该电路与分立元件电路的优点。设Vcc= -VEE=10V, VBE=0.6 V。
第7题
数与习题3.1.6相同。试求:
(1)电路的静态工作点;(2)电压放大倍数;(3)输人电阻和输出电阻。
第8题
,Rs2=5千欧,Rg1=500千欧,Rg2=300千欧,IDQ1=IDQ2=1.5mA,VGSQ1=VGSQ2=3V。试求(1)输入和输出电阻;(2)源电压增益Aex。
第9题
放大电路如图题6.9.1所示。设信号源内阻Rs1=0,BJT的型号为2N3904,β=100,电路其他参数:Re=3.3千欧,Re=1.3千欧,Rb1=33千欧,Rb2=10千欧,RL=5.1千欧,Cb1=Cb2=10μF,Ce=50μF,VCC=12V。试求:集电结电容Cb在1~10pF之间变化时,上限频率fH的变化范围。
第10题
型分析法求电压增益Av;(4)电路其他参数不变,如果要使VCEQ=4V,问基极上偏流电阻Rb1为多大?
为了保护您的账号安全,请在“上学吧”公众号进行验证,点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证,验证成功后方可继续查看答案!