电路参数如图题5.7.9所示。设FET的参数为g_m=0.8mS，r_ds=200千欧;T₂的β=40，r_be=1

电路如图题6.4.5所示，其中V_DD=5V，R_si=2千欧，R_g1=60千欧，R_g2=40千欧，R_d=R_L=5.1 千欧，MOS管参数为K_n=0.8mA/V²，V_TN=1V，λ=0，C_gn=1pF，C_gd=0.4pF。试求该电路的中频源电压增益A_rSM和源电压增益的上限频率f_H。

欧，R_m=1千欧，R_xi=10千欧。场效应管参数为V_TS=1.5V，K_n=2mA/V₂，λ=0。试求(1)静态工作点Q;(2)电压增益A_p和源电压增益A_ex;(3)输入电阻R_i和输出电阻R₀。

，R_s2=5千欧，R_g1=500千欧，R_g2=300千欧，I_DQ1=I_DQ2=1.5mA，V_GSQ1=V_GSQ2=3V。试求(1)输入和输出电阻;(2)源电压增益A_ex。

电路如图题5.5.2所示，设两个FET的参数完全相同。试证明: (1)电压增益为(提示:μ=gmrds)

(2)输出电导为

(3)如果R1=R2=R，试求AU和Ro.

场效应管参数为K_n1=K_n2=1.2mA/V₂，V_TN1= V_TN2=1.9V，λ₁=λ₂=0。试求该电路的电压增益。

放大电路如图题6.9.1所示。设信号源内阻R_s1=0，BJT的型号为2N3904，β=100，电路其他参数：R_e=3.3千欧，R_e=1.3千欧，R_b1=33千欧，R_b2=10千欧，R_L=5.1千欧，C_b1=C_b2=10μF，C_e=50μ_F，V_CC=12V。试求：集电结电容C_b在1~10p_F之间变化时，上限频率fH的变化范围。

电路？ (2)电压增益的表达式及它的最大值;(3)转折频率的大小。

号等效电路;(2)求电压增益A_F;(3)求放大器的输入电阻R_i。