试从图4-14求室温时杂质浓度分别为10¹⁵，10¹⁶，10¹⁷cm ^-3的p型和n型Si样品的空穴和电子迁移率，并分别计算它们的电阻率。再从图4-15分别求它们的电阻率。

制造晶体管--般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型的外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成。

①设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300k时的E_F位于导带底.下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。

②设n型外延层杂质均匀分布,杂质浓度为4.6x10¹⁵cm^-3,计算300K时EF的位置及电子和空穴浓度。

③在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼浓度为5.2x10¹⁵cm^-¿39

40¿, 计算300K时E_F的位置及电子和空穴浓度。

④如温度升高到500K，计算③中电子和空穴的浓度(本征载流子浓度、数值查图3-7)。

A.施主杂质浓度

B.受主杂质浓度

C.电子浓度

D.空穴浓度

设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV,300k时的E_F位于导带底下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。②设n型外延层杂志均匀分布，杂质浓度为4.6x10¹⁵cm^-3,计算300K时的E_F位置和电子空穴浓度。③在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼的浓度为5.2x10¹⁵cm^-3,计算300K时E_F位置和电子空穴浓度。④如温度升高到500，计算③中电子空穴的浓度。

A.空穴

B.电子

C.光子

D.声子

一个n型CdS正方形品片，边长1mm.厚0.lmm，其长波吸收限510nm.今用1mW /com²的紫光（λ= 409

一个n型CdS正方形品片，边长1mm.厚0.lmm，其长波吸收限510nm.今用1mW /com²的紫光(λ= 409.6mm )照射正方形表面，量子产额β=1。设光生空穴全部被陷，光生电子寿命rn =10^-3s,电子迁移率μ_n= 100cm²/V·s，并设光照能量全部被晶片吸收，求下列各值。

①样品中每秒产生的电子空穴对数:

②样品中增加的电子数:

③样品的电导增量Ag;

④当样品上加以50V电压时的光生电流:

⑤光电导增益因子G.