半导体发光二极管的工作过程以（)为主。

A.受激吸收

B.自发辐射

C.受激辐射

D.自发吸收

A.两原子自发辐射的同频率的光是相干的，受激辐射的光与入射光是不相干的

B.两原子自发辐射的同频率的光是不相干的，受激辐射的光与入射光是相干的

C.两原子自发辐射同频率的光是不相干的，受激辐射的光与入射光是不相干的

D.两原子自发辐射同频率的光是相干的，受激辐射的光与入射光是相干的

A.碰撞电离

B.受激辐射

C.输出暗电流

D.受激吸收

A.基带

B.通带

C.受激辐射高能带

D.泵浦高能带

A.增益饱和是指增益达到极大值的情形

B.增益饱和是指增益达到阈值的情形

C.增益饱和是指受激辐射导致反转粒子数减少而引起的增益下降

D.增益饱和是指受激吸收导致反转粒子数增多而引起的增益上升。

A.激活期

B.吸收期

C.休止期

D.转换期

E.形成期

考虑二能级工作系统,若E₂能级的自发辐射寿命为,无辐射跃迁寿命为下.假设t=0时激光上能级E的粒子数密度为,工作物质的体积为v,发射频率为v,求:

(1)自发辐射功率随时间的变化规律.

(2)E₂能级的原子在其衰减过程中发出的自发辐射光子数.

(3)自发辐射光子数与初始时刻E能级上的粒子数之比ƞ₃.

A.(1)，(2)，(3)，(4)

B.(2)，(3)，(4)，(5)

C.(1)，(3)，(4)，(5)

D.(1)，(2)，(4)，(5)

A.F = 发射荧光的电子数 / 吸收激发光的电子数

B.F = 发射荧光的光量子数 / 吸收荧光的光量子数

C.F = 发射光的强度 / 吸收光的强度

D.F = 发射荧光的光量子数 / 吸收激发光的光量子数