电荷分布如图2-3所示.试证明,在r>>1处的电场为.
第1题
1
),单位长度上的电荷为±λ。求离轴线为r处的电场强度:(1)r<R1,(2)R1< rR2。
第2题
电路如图题5.5.2所示,设两个FET的参数完全相同。试证明: (1)电压增益为(提示:μ=gmrds)
(2)输出电导为
(3)如果R1=R2=R,试求AU和Ro.
第4题
试用静电场的环路定理证明,如图3.14所示电场线为一系列不均匀分布的平行直线的电场不静电场。
第5题
电路如图5.9(教材图5.04)所示,图中R1=R2=R3 =R4。试求u0的表达式。
第6题
如图3.16所示,两均匀带电薄球壳同心放置,半径分别为R1和R2(R1< R2)。已知内、外球壳间的电势差为v12求两球壳间的电场分布。
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